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MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機化合物化學氣相沉積設備），是在氣相外延（VPE）的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術，是利用金屬有機化合物作為源物質的一種化學氣相淀積(CVD)工藝。利用MOCVD技術，許多納米層可以以極高的精度沉積，每一層都具有可控的厚度，以形成具有特定光學和電學特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關鍵工藝技術，用于在藍寶石（Al2O3）襯底上外延生長，制作外延片。

MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）是用于在半導體晶圓上沉積超薄單晶體層。MOCVD對于半導體III-V化合物是最重要的制造工藝，尤其是這些基于氮化鎵的半導體。廣泛應用于包括半導體器件、光學器件、氣敏元件、超導薄膜材料、鐵電/鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。

MOCVD的優(yōu)劣勢：

（1）用于生長化合物半導體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應室，因此，可以通過精確控制氣態(tài)源的流量和通斷時間來控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等?？梢杂糜谏L薄層和超薄層材料。

（2）反應室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時，可以迅速進行改變，減小記憶效應發(fā)生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進行異質結構和超晶格、量子阱材料的生長。

（3）晶體生長是以熱解化學反應的方式進行的，是單溫區(qū)外延生長。只要控制好反應源氣流和溫度分布的均勻性，就可以保證外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長，便于工業(yè)化大批量生產。

（4）通常情況下，晶體生長速率與Ⅲ族源的流量成正比，因此，生長速率調節(jié)范圍較廣。較快的生長速率適用于批量生長。

（5）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進行包含該元素的材料的MOCVD生長。而可供選擇作為反應源的金屬有機化合物種類較多，性質也有一定的差別。

MOCVD技術的主要缺點大部分均與其所采用的反應源有關。首先是所采用的金屬有機化合物和氫化物源價格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險性，并且，反應后產物需要進行無害化處理，以避免造成環(huán)境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對反應過程進行仔細控制以避免引入非故意摻雜的雜質。